ilmsarchashmalari@umail.uz +998 91-915-45-55 220100, Urganch shahri, Hamid Olimjon koʻchasi, 14-uy.
O'zbekcha Русский English
Arxiv / №10 · 2026 / Maqola
01.00.00 – FIZIKA-MATEMATIKA FANLARI

MEXANIK BOSIM VA ULTRATOVUSHNING BIRGALIKDAGI TA’SIRI OSTIDA METALL–SHISHA–YARIMO‘TKAZGICH STRUKTURALARDA ZARYAD RELAKSATSIYASI VA SIRT HOLATLARI DINAMIKASI

Annotatsiya
O'ZBEKCHA

Metall–shisha–yarimo‘tkazgich strukturalarning elektrofizik xossalari interfeysdagi sirt holatlari va zaryad tashuvchilar dinamikasi bilan belgilanadi. Ushbu ishda mexanik bosim va ultra-tovushning alohida hamda kombinatsiyalangan ta’siri yuqori chastotali volt–farad xarakteristikalari va si-g‘im relaksatsiyasi usullari orqali tadqiq etildi. Kombinatsiyalangan ta’sir sirt holatlari zichligini kamayti-rib, zaryad relaksatsiyasini tezlashtirishi aniqlandi. Ushbu natijalarni izohlash uchun atomlararo bog‘lar-ning qayta konfiguratsiyalanishiga asoslangan fizik model va chegara sohasining holatini baholovchi di-namik barqarorlik koeffitsiyenti taklif qilindi. Natijalar MSHY strukturalarning interfeys xossalarini mexa-nik va akustik ta’sirlar orqali boshqarish mumkinligini ko‘rsatdi.

Kalit so'zlar: metall–shisha–yarimo‘tkazgich strukturalar, mexanik bosim, ultratovush, sirt holatla-ri zichligi, zaryad relaksatsiyasi, volt–farad xarakteristikalar, sig‘im relaksatsiyasi, sinergetik effekt
РУССКИЙ

Металл–диэлектрик–полупроводниковые структуры характеризуются элек-трофизическими свойствами, определяемыми состояниями поверхности на границе раздела и ди-намикой носителей заряда. В данной работе отдельное и комбинированное воздействие механичес-кого давления и ультразвука исследовано с использованием высокочастотных вольт–фарадных ха-рактеристик и методов релаксации ёмкости. Установлено, что комбинированное воздействие приводит к снижению плотности поверхностных состояний и ускорению релаксации заряда. Для интерпретации полученных результатов предложена физическая модель, основанная на реконфи-гурации межатомных связей, а также введён коэффициент динамической стабильности, харак-теризующий состояние пограничной области. Полученные результаты показывают возможность управления интерфейсными свойствами МДП-структур посредством механических и акустичес-ких воздействий.

Ключевые слова: металл–диэлектрик–полупроводниковые структуры, механическое давле-ние, ультразвук, плотность поверхностных состояний, релаксация заряда, вольт–фарадные харак-теристики, релаксация ёмкости, синергетический эффект.
ENGLISH

The electrophysical properties of metal–dielectric–semiconductor structures are determined by the surface states at the interface and the dynamics of charge carriers [5–11]. In this work, the individual and combined effects of mechanical pressure and ultrasound were investigated using high-frequency capacitance–voltage characteristics and capacitance relaxation methods. It was found that the combined effect reduces the density of surface states and accelerates charge relaxation. To interpret these results, a physical model based on the reconfiguration of interatomic bonds and a dynamic stability coefficient for assessing the state of the interfacial region were proposed. The results demonstrate the possibility of controlling the interface properties of MDS structures through mechanical and acoustic effects.

Keywords: metal–dielectric–semiconductor structures, mechanical pressure, ultrasound; surface state density, charge relaxation, capacitance–voltage characteristics, capacitance relaxation, synergistic effect
Maqola · PDF
PDF yuklab olish Yangi oynada ochish

Foydalanilgan adabiyotlar

  1. B.Kuchkarov, O.Mamatkarimov, A.Abdulkhayev. “Influence of the ultrasonic irradiation on characteristic of the structures metal-glass-semiconductor”. IOP Conf. Ser. Earth Environ. Sci., vol. 614, 012027, 2020.
  2. A.Gorb, O.A.Korotchenkov, O.Y.Olikh, A.O.Podolian, R.G.Chupryna. “Influence of γ-irradiation and ultrasound treatment on current mechanism in Au-SiO₂-Si structure,” Solid-State Electron., vol. 165, 107712, 2020.
  3. S.Z.Zainabidinov, S.I.Vlasov, D.E.Nazirov. “Influence of Pressure on the Properties of Metal-Glass-Semiconductor Structures Based on Silicon Doped with Gadolinium,” Science and World, vol. I, № 12(88), 2020.
  4. W.Rzodkiewicz, K.Roman. “The physical parameters of MOS structures in the presence of local mechanical stress.” Measurement, vol. 235, 115009, 2024.
  5. M.Chaturvedi, S.Dimitrijev, D.Haasmann, H.Amini Moghadam, P.Pande, U.Jadli. “Quantified density of performance-degrading near-interface traps in SiC MOSFETs.” Sci. Rep., vol. 12, 4076, 2022.
  6. Z Wang, Z.Lin, M.Si, P.D.Ye. “Characterization of Interface and Bulk Traps in Ultrathin Atomic Layer-Deposited Oxide Semiconductor MOS Capacitors with HfO₂/In₂O₃ Gate Stack by C-V and Conductance Method.” Front. Mater., vol. 9, 850451, 2022.
  7. Y.Yan, V.Kilchytska, D.Flandre, J.-P.Raskin. “Investigation and optimization of traps properties in Al₂O₃/SiO₂ dielectric stacks using conductance method.” Solid-State Electron., vol. 194, 108347, 2022.
  8. Y.Yan, V.Kilchytska, D.Flandre, J.-P.Raskin. “Analysis of trap distribution and NBTI degradation in Al₂O₃/SiO₂ dielectric stack.” Solid-State Electron., vol. 207, 108675, 2023.
  9. L.Wu, J.Liang, M.Zhang, M.Liu, T.Zhang, G.Yang, X.Song. “An approach for extracting the SiC/SiO₂ SiC MOSFET interface trap distribution and study during short circuit.” Mater. Sci. Semicond. Process., vol. 163, 107581, 2023.
  10. Y.Raffel, R.O.Revello Olivo, M.Simon, L.Vieler, R.Hoffmann, S.De, T.Kämpfe, K.Seidel, M.W. Lederer. “Importance of temperature dependence of interface traps in high-k metal gate stacks for silicon spin-qubit development.” Appl. Phys. Lett., vol. 123, 034002, 2023.
← Songa qaytish