ilmsarchashmalari@umail.uz +998 91-915-45-55 220100, Urganch shahri, Hamid Olimjon koʻchasi, 14-uy.
O'zbekcha Русский English
Arxiv / №8 · 2026 / Maqola
01.00.00 – FIZIKA-MATEMATIKA FANLARI

PAST ENERGIYALI MOLIBDEN IONLARI KIRITILGAN KREMNIY SIRTINING FOTOEMISSION XUSUSIYATLARI

Annotatsiya
O'ZBEKCHA

Kremniy asosidagi qurilmalarning emissiv xossalarini optimallashtirish optoelektroni-kadagi dolzarb vazifalardan biri boʻlib kelmoqda. Ushbu maqsadda, yuqori vakuum sharoitida n-tur Si (111) sirtiga past energiyali (3 keV) molibden ionlari kiritildi va modifikatsiyalangan sirt UFES usulida tahlil qilindi. Fauler–Keyn nazariyasi asosida oʻtkazilgan oʻlchovlar shuni koʻrsatdiki, sirtda hosil boʻlgan yangi gibridlangan sathlar hisobiga chiqish ishi 4,11 eVdan 4,03 eVgacha pasaydi. Sirt potensial toʻsigʻini bunday maqsadli pasaytirish yuqori samarali quyosh elementlari va sezgir fotodetektorlar yaratishda yor-damchi nazariy-texnologik asos boʻlib xizmat qiladi.

Kalit so'zlar: kremniy, molibden, implantatsiya, fotoelektron emissiya, kvant chiqishi, chiqish ishi, Fauler–Keyn nazariyasi.
РУССКИЙ

Оптимизация эмиссионных свойств кремниевых приборов остается одной из актуальных задач оптоэлектроники. С этой целью в условиях высокого вакуума была проведена имплантация низкоэнергетических (3 кэВ) ионов молибдена в поверхность Si(111) n-типа, а мо-дифицированная поверхность исследована методом УФЭС. Измерения, проведенные на основе те-ории Фаулера-Кейна, показали, что за счет образования новых гибридизированных уровней на по-верхности работа выхода снизилась с 4,11 эВ до 4,03 эВ. Такое целенаправленное снижение поверх-ностного потенциального барьера служит вспомогательной теоретико-технологической основой для создания высокоэффективных солнечных элементов и чувствительных фотодетекторов.

Ключевые слова: кремний, молибден, имплантация, фотоэлектронная эмиссия, квантовый выход, работа выхода, теория Фаулера-Кейна.
ENGLISH

Optimizing the emissive properties of silicon-based devices remains a pressing task in modern optoelectronics. For this purpose, low-energy (3 keV) molybdenum ions were implanted into an n-type Si(111) surface under high vacuum conditions, and the modified surface was analyzed using the UPS method. Measurements based on the Fowler-Kane theory demonstrated that the work function decreased from 4.11 eV to 4.03 eV due to the formation of new hybridized levels at the surface. Such a targeted reduction of the surface potential barrier serves as a supporting theoretical and technological foundation for the development of high-efficiency solar cells and sensitive photodetectors.

Keywords: silicon, molybdenum, implantation, photoelectron emission, quantum yield, work function, Fowler-Kane theory.
Maqola · PDF
PDF yuklab olish Yangi oynada ochish

Foydalanilgan adabiyotlar

  1. Hüfner S. Photoelectron Spectroscopy: Principles and Applications. Berlin, Springer, 2003.
  2. Rahmonov G‘.T., Nurmatov N.A. Elektronlar va ionlar emissiyasi. Toshkent, “Ma’rifat”, 2024.
  3. Neamen D.A. Semiconductor Physics and Devices. New York, McGraw-Hill, 2012.
  4. Briggs D., Grant J.T. Surface Analysis by Auger and XPS. IM Publications, 2003.
  5. Ziegler J.F. Ion Implantation Science. Nuclear Instruments, 2004.
  6. Buribaev I., Nurmatov N.A. Photoelectron emission of Nb and alloys. Izvestiya RAN. Moscow, 2001.
← Songa qaytish