ilmsarchashmalari@umail.uz +998 91-915-45-55 220100, Urganch shahri, Hamid Olimjon koʻchasi, 14-uy.
O'zbekcha Русский English
Arxiv / №5.1 · 2026 / Maqola
01.00.00 – FIZIKA-MATEMATIKA FANLARI

TRANSIZTORNING EMITTER VA KOLLEKTORDAGI TESHIK TOKLARIGA QIZIGAN ZARYAD TASHUVCHILARNING TA’SIRI

Annotatsiya
O'ZBEKCHA

Ushbu maqolada tranzistorlarning, xususan P-N-P strukturali bipolyar tranzistorlar-ning ishlash jarayonida emitter va kollektordagi zaryad tashuvchilarning, ayniqsa qizigan (yuqori energi-yali) tashuvchilarning ta’siri o‘rganilgan. Zamonaviy elektronika va axborot texnologiyalarining jadal ri-vojlanishi sharoitida yarimo‘tkazgichli asboblar, jumladan, tranzistorlarning ahamiyati ortib bormoqda. Maqolada tranzistor parametrlarining temperatura, elektr maydon va zaryad tashuvchilarning energiya holatiga bog‘liq holda o‘zgarish qonuniyatlari tahlil qilingan. Shuningdek, qizigan zaryad tashuvchilar ta’sirida yuzaga keladigan fizik jarayonlar va ularning tranzistorlarning ish barqarorligi, ishonchliligi hamda tezkorligiga ta’siri ko‘rib chiqilgan. Nazariy formulalar orqali hisoblashlar amalga oshirilib, turli parametr qiymatlarida grafiklar olinib, ularning o‘zgarish qonuniyatlarini ko‘rsatilgan. Tadqiqot natija-lari zamonaviy elektron qurilmalarni takomillashtirishda muhim ahamiyatga ega

Kalit so'zlar: P-N-P tranzistor, bipolyar tranzistor (BJT), yarimo‘tkazgich, zaryad tashuvchilar, qi-zigan zaryad tashuvchilar, emitter toki, kollektor toki, temperatura ta’siri, elektr maydon, energiya holati.
РУССКИЙ

В данной статье исследуется влияние носителей заряда в эмиттере и коллек-торе транзистора, особенно высокоэнергетических (горячих) носителей, в биполярных транзис-торах структуры P-N-P. В условиях стремительного развития современной электроники и инфор-мационных технологий возрастает значение полупроводниковых приборов, в частности транзис-торов. В работе проанализированы закономерности изменения параметров транзистора в зависи-мости от температуры, электрического поля и энергетического состояния носителей заряда. Также рассмотрены физические процессы, возникающие под воздействием горячих носителей, и их влияние на стабильность, надежность и быстродействие транзисторов. С использованием те-оретических формул были выполнены расчёты, построены графики при различных значениях пара-метров и показаны закономерности их изменения. Результаты исследования имеют важное зна-чение для совершенствования современных электронных устройств.

Ключевые слова: P-N-P транзистор, биполярный транзистор (BJT), полупроводник, носи-тели заряда, горячие носители, ток эмиттера, ток коллектора, влияние температуры, электри-ческое поле, энергетическое состояние.
ENGLISH

This article studies the influence of charge carriers in the emitter and collector regions of transistors, particularly high-energy (hot) carriers, in P-N-P bipolar junction transistors. In the context of the rapid development of modern electronics and information technologies, semiconductor devices,
42
especially transistors, are becoming increasingly important. The paper analyzes the dependence of transistor parameters on temperature, electric field, and the energy state of charge carriers. Additionally, physical processes caused by hot carriers and their impact on the stability, reliability, and speed of transistor operation are discussed. Calculations were carried out using theoretical formulas, graphs were obtained for different parameter values, and the patterns of their variation were demonstrated. The results of the research are important for improving modern electronic devices.

Keywords: PNP transistor, bipolar junction transistor (BJT), semiconductor, charge carriers, hot carriers, emitter current, collector current, temperature effect, electric field, energy state.
Maqola · PDF
PDF yuklab olish Yangi oynada ochish

Foydalanilgan adabiyotlar

  1. M.A.Azizov. Yarimo‘tkazgichlar fizikasi. “O‘qituvchi”, Toshkent, 1974.
  2. Liu C., Chen Y., Xie Y., Liu H., Cai Z. Electrical Properties and Reliability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor under RF Overdrive Stress at High Temperature. Micromachines 2024, 15, 1100.
  3. Tyaginov S., Bury E., Grill A., Kao E., DeKeersgieter A., Makarov A., Vandemaele M., Spessot A., Chasin A., Kaczer B. Incorporation of TemperatureImpactonHot-Carrier DegradationintoCompactPhysics Model. Microma-chines, 2025, 16, 1424.
  4. Knap W., Rumyantsev S., Vitiello MS., Coquillat D., Blin S., Dyakonova N., Shur M., Teppe F., Tredicucci A., Nagatsuma T. Nanometer size field effect transistors for terahertz detectors. Nanotechnology, 2013, 24 (21).
  5. Шалимова К.В., Физика полупроводников. М., “Энергоатомиздат”, 1985, с. 113.
  6. G.Gulyamov, G.N.Majidova, F.R.Mukhitdinova, S.Q.Madumarova. Influence of Temperature on Charac-teristics of a Diode with a p-n Junction in a Magnetic Field. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2024, Vol. 22, Issue 3, p. 256–260.
  7. G.Gulyamov, G.N.Majidova, F.R.Mukhitdinova. Changing the Voltage of the p-n Junction in a Magnetic Field. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2023, vol 21, p. 273–277.
  8. S.I.Vlasov, U.Q.Valiyev, K.A.Tursunmetov. Yarimo‘tkazgichlar asboblar fizikasi.
  9. Ahter N., Pala N., Knap W., Shur M. Terahertz PlasmaField Effect Transistors Detectors, Fundamentals of Terahertz Devices and Applications, Wiley & Sons, 2021, p. 285–322.
  10. Boubanga-Tombet S., Knap W., Yadav D., Satou A., But D.B., Popov V.V., Gorbenko I.V., Kachorovskii V., Otsuji T. Room Temperature Amplification of THz Radiation by Grating-Gate Graphene Structures. Phys Rev. X 10, 031004 (2020).
← Songa qaytish