ilmsarchashmalari@umail.uz +998 91-915-45-55 220100, Urganch shahri, Hamid Olimjon koʻchasi, 14-uy.
O'zbekcha Русский English
Arxiv / №9 · 2026 / Maqola
01.00.00 – FIZIKA-MATEMATIKA FANLARI

GETEROSTRUKTURA ASOSIDAGI FOTOTRANSIZTORLARNING XARAKTERISTIKALARIGA YORUG‘LIKNING TA’SIRI

Annotatsiya
O'ZBEKCHA

Ushbu ishda n-p-n o‘tishli fototranzistorlarning volt-amper xarakteristikasining turli yorug‘lik ta’sirida paydo bo‘ladigan fototok hisobiga o‘zgarishlari ko‘rib chiqilgan. Yorug‘lik ta’sirida generatsiyalangan fototok taranzistorni bazasini ochib, tok aktiv rejimda ishlashini ta’minlaydi. Yorug‘lik intensivligi ortganda esa bu tok ham ortib, aktiv soha tokining ortishiga olib kelishi ko‘rsatilgan. Nazariy ifodalar ishlab chiqilgan va u asosida olingan volt-amper xarakteristikalarining o‘zgarishlaridagi fizik asoslari keltirilgan.

Kalit so'zlar: n-p-n o‘tish, geteroo‘tish, fototranzistor, volt-amper xarakteristikasi, emitter, kollek-tor, baza.
РУССКИЙ

В данной работе рассмотрены изменения вольт-амперных характеристик n-p-n-переходных фототранзисторов вследствие фототока, возникающего под воздействием раз-личных источников света. Фототок, генерируемый под воздействием света, открывает базу транзистора, обеспечивая его работу в активном режиме. Показано, что при увеличении интен-сивности света этот ток также увеличивается, что приводит к увеличению тока активного поля. Разработаны теоретические выражения и представлены физические основы изменений вольт-амперных характеристик, полученных на их основе.

Ключевые слова: n-p-n переход, гетеропереход, фототранзистор, вольт-амперная характе-ристика, эмиттер, коллектор, база.
ENGLISH

This paper examines changes in the current-voltage characteristics of n-p-n junction phototransistors due to photocurrent generated by various light sources. The photocurrent generated by light opens the transistor’s base, enabling its operation in active mode. It is shown that with increasing light intensity, this current also increases, leading to an increase in the active field current. Theoretical expressions are developed, and the physical basis for changes in the current-voltage characteristics derived from them is presented.

Keywords: n-p-n junction, heterojunction, phototransistor, current-voltage characteristic, emitter, collector, base.
Maqola · PDF
PDF yuklab olish Yangi oynada ochish

Foydalanilgan adabiyotlar

  1. S.M.Sze and K.K.Ng, Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken, NJ: Wiley-Interscience, 2006 (Yarimo‘tkazgichlar fizikasining dunyodagi eng mashhur darsligi).
  2. G P.Agrawal, Fiber-Optic Communication Systems. 4th ed. New York, Wiley, 2010.
  3. D.P.Schinke, R.G.Smith, and A.R.Hartman. "Photodetectors for fiber system applications," in Optical Fiber Telecommunications, Academic Press, 1979, pp. 387–411.
  4. H.Kroemer. "Heterostructure bipolar transistors and integrated circuits." Proceedings of the IEEE, vol. 70, № 1, pp. 13–25, 1982.
  5. J.C.Campbell, A.G.Dentai, C.A.Burrus and J. F.Ferguson, "InP/InGaAs heterojunction phototransistors," IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 17, № 2, pp. 264–269, 1981.
  6. S.Chandrasekhar. et al., "Monolithic InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor photoreceiver," Elec-tronics Letters, vol. 26, № 22, pp. 1880–1882, 1990.
  7. W.T.Tsang, "Lightwave receiver transmitters," Semiconductors and Semimetals, vol. 22, pp. 320–354, Academic Press, 1985.
  8. M.S.Shur, Physics of Semiconductor Devices. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1990.
  9. T.Sugeta and T.Urisu. "High-frequency characteristics of phototransistors." IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 27, № 8, pp. 1530–1538, 1980.
← Songa qaytish